与当前一代AE4产品相比，用于的硅基AE5工艺可将功率损耗降低10%，这一节能技术将有助于 EV开发人员节省电量并增加行驶里程。新产品在保持高稳健性的同时，体积也缩小了约10%。这款全新器件通过在低功率损耗和高稳健性的权衡中取得最佳平衡，实现了IGBT行业的性能水平。这款IGBT最大限度地减少IGBT间的参数变化，并在IGBT并联运行时带来稳定性，从而显著改善模块的性能与安全性。这些特性为工程师提供了更大灵活性，帮助其设计出能够获得高性能的小型逆变器。
瑞萨电子功率系统业务部副总裁小西胜也表示：“随着电动汽车的普及，带动了市场对汽车功率半导体需求的迅速攀升。基于我们在过去7年中汽车级功率产品制造的丰富经验，瑞萨的IGBT提供了高度可靠、稳健的电源解决方案。随着最新的器件即将投入量产，瑞萨将为未来有望快速增长的中端EV逆变器市场打造理想的功能和性价比。”
新一代IGBT（AE5）的关键特性
● 包含四款针对400-800V逆变器的产品：750V耐压（220A和300A）及1200V耐压（150A和200A）
● 在-40°C至175°C的整个工作结温（Tj）范围内性能稳定
● 业界高性能水平，导通电压Vce（饱和电压）为1.3V（最小化功率损耗的关键值）
● 电流密度比传统产品高10%，小芯片尺寸（100mm2/300A）针对低功耗和高输入进行优化
● 通过减少对VGE（off）的参数变化至±0.5V来实现稳定的并联操作
● 保持反向偏置安全工作区（RBSOA），在 175°C结温下最大Ic电流脉冲为600A，在400V下具有4µs的高度稳健短路耐受时间
● 栅极电阻（Rg）的温度依赖性缩减50%，由此最大限度地减少高温下的开关损耗、低温下的尖峰电压和短路耐受时间，支持高性能设计
● 可作为裸片（晶圆）提供
● 能够减少逆变器的功率损失。在相同的电流密度下，与目前的AE4工艺相比功率效率提升6%，使EV能够用更少的电池行驶更远的距离
EVs的逆变器解决方案
在电动汽车中，驱动车辆的由逆变器控制。由于逆变器将直流电转换为电动车电机所需的交流电，IGBT等开关器件对于最大限度降低电动汽车的功耗至关重要。为了帮助开发者，瑞萨推出了xEV逆变器参考解决方案。此款硬件参考设计结合了IGBT、、（PMIC）、栅极IC和快速恢复二极管（FRD）。瑞萨还提供xEV逆变器套件，作为参考设计的硬件实现。此外，瑞萨推出了一款电机参数校准工具，以及结合了电机控制应用模型与示例软件的xEV逆变器应用模型和软件。这些工具和支持程序旨在助力用户简化其软件开发工作。瑞萨还计划将新一代IGBT加入到这些硬件和软件中，以便在更小的空间内达成更卓越的电源效率与性能。
供货信息
瑞萨750V耐压版本和300A的样品现已开始供货，并计划在未来发布其它版本。
关于瑞萨电子
瑞萨电子（TSE: 6723），科技让生活更轻松，致力于打造更安全、更智能、可持续发展的未来。作为全球微控制器供应商，瑞萨电子融合了在嵌入式处理、模拟、电源及连接方面的专业知识，提供完整的半导体解决方案。成功产品组合加速汽车、工业、基础设施及物联网应用上市，赋能数十亿联网智能设备改善人们的工作和生活方式。
